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　　被誉为集成电路设计领域“奥林匹克”的第73届国际固态电路会议（ISSCC 2026），于2026年2月15日至19日在美国旧金山顺利召开。作为全球芯片设计领域最高级别、最具权威性的学术盛会，ISSCC自1953年创办以来，始终以严苛的入选标准（平均录用率长期维持在20%-28%）成为行业前沿技术的核心风向标，被誉为“半导体芯片设计的风向标”“全球IC设计界的奥斯卡”，其入选论文直接反映全球半导体设计领域的最高技术水平与发展趋势。

　　本届会议投稿量再创新高，共收到来自全球40多个国家和地区的1025篇投稿，最终录用257篇，录用率约25%，较上一届小幅提升1.2个百分点，能入选论文基本代表全球同领域最高技术水平，是各国半导体科研实力的核心比拼舞台。

　　会议核心数据显示，中国（含港澳地区）共有96篇论文被接收，入选总数连续第四年位居全球第一，占总录用数的37.35%（近40%），较上一年度的92篇增加4篇，增幅4.35%，稳中有升的态势凸显中国半导体科研的持续发力。这一成绩不仅远超其他国家和地区，更实现了“量”的积累与“质”的提升，充分展现出中国在半导体高端通用芯片设计、先进制程研发等领域日益强大的科研实力与国际影响力，正式标志着中国芯片设计产业从“跟跑”向“并跑”“领跑”跨越，跻身全球芯片设计第一梯队。从区域分布来看，中国内地贡献81篇论文，澳门大学以11篇位居港澳地区首位，香港地区贡献4篇，形成了全方位、多层次的科研输出格局。

　　从全球论文分布版图来看，中国以96篇的绝对优势领跑，较上一年度的92篇稳中有升，持续巩固领先地位；美国以56篇入选论文位列第二，其论文主要集中在高性能计算芯片、AI训练芯片、先进封装等工业界核心领域，凸显其在半导体产业上游核心技术领域的深厚技术底蕴与产业积累；韩国以46篇位居第三，其论文多聚焦于存储器芯片设计、显示驱动芯片等传统优势领域，尽管在存储器领域仍保持全球领先强势，但在AI、量子计算等前沿技术赛道的缺失引发行业广泛热议，暴露其在前瞻性技术布局上的短板，也反映出韩国半导体产业“重制造、轻研发”的结构性问题。此外，日本、欧洲分别以28篇、23篇入选论文位居第四、五位，整体呈现“中国领跑、美韩紧随、全球协同”的竞争格局。

　　值得重点关注的是，中国本届入选论文不仅在数量上保持领先，在技术结构上更实现关键性突破——首次在探索前瞻性、颠覆性创新的“未来技术”赛道（Technical Directions）崭露头角，共有4篇论文入选，占该赛道总录用数的16.7%，实现该领域“零的突破”。

　　该赛道涵盖量子计算、类脑芯片、柔性电子、存算一体前沿架构等半导体“黑科技”领域，聚焦未来5-10年半导体技术的颠覆性创新，是全球半导体科研竞争的核心制高点。此次突破标志着中国半导体科研正从“应用跟随”向“定义前沿”转型，打破了欧美国家在未来技术领域的先发优势，彰显中国在半导体基础研究领域的重大进步。

　　相比之下，韩国在该赛道“零入选”的成绩引发其国内媒体高度关注与忧虑，韩国《电子新闻》评论指出，这一差距反映出韩国在量子计算、类脑芯片等未来赛道的技术储备不足，若不加大基础研究投入，未来可能被中国进一步拉开差距。

　　在机构排名方面，中国呈现“高校与企业双驱动、产学研深度融合”的良好发展态势，形成了“科研引领、产业落地”的良性循环。清华大学以18篇论文的佳绩蝉联全球学术机构第一，成为全球芯片设计科研的核心策源地，其论文主要聚焦AI加速器、量子计算芯片、超高速电路等前沿领域，彰显顶尖高校的科研实力；复旦、上交、浙大、东南大学、华中科大、南科大等国内顶尖高校全面开花，其中复旦大学以10篇论文入选，上海交通大学以8篇入选，持续输出高质量科研成果，为中国半导体产业培养了大量高端人才。

　　企业端，华为海思、紫光展锐、思特威（SmartSens）等中国半导体企业表现突出，其中华为海思有6篇论文入选，聚焦AI处理器、射频前端等核心领域；紫光展锐聚焦低功耗通信芯片，有4篇论文入选；思特威在成像技术、低功耗图像传感器等领域的研究成果获得国际认可，彰显出中国产学研协同发展的强劲势头，也体现出中国半导体企业从“技术跟随”向“技术引领”的转型。

　　本届ISSCC以“利用IC和SoC创新推进AI”为核心主题，紧扣全球AI产业爆发式发展的趋势，聚焦AI芯片、先进制程、高端封装等核心领域，吸引了全球半导体领域的顶尖专家、企业代表、科研学者参会。中国在AI处理器、模拟电路及电源管理芯片等核心赛道全面开花，学术创新正加速转化为产业竞争力，其中AI相关论文占中国总入选数的42%，成为核心发力方向。从技术热点来看，五大核心方向成为未来半导体产业的发展风口，涵盖AI、先进封装、光互连、6G通信、高速电路等关键领域，引领全球半导体技术发展方向：

　　一是AI加速器与存算一体（CIM）成为绝对主流，占据本届会议论文总数的35%以上，大模型推理/训练芯片持续突破，聚焦3nm/5nm先进工艺，部分产品能效水平提升至1000–4000 TOPS/W，较上一届提升50%以上，近存计算、存算一体技术广泛应用，可稳定支持70B+大模型的实时推理与训练，核心呈现“算力拼极限、能效拼底线”的竞争格局。中国高校与企业在该领域表现突出，清华大学、华为海思的相关论文聚焦存算一体芯片架构优化，实现能效与算力的双重突破，获得国际同行认可。

　　二是Chiplet+UCIe 2.0+3D堆叠技术加速普及，随着单芯片性能逼近物理极限，先进封装成为高端芯片突破的关键路径，本届会议相关论文达32篇，112G+片间互联、UCIe 2.0标准化、3D堆叠及DRAM Logic异构集成成为核心热点，其中UCIe 2.0标准的落地的，进一步推动Chiplet技术的规模化应用，未来高端SoC的竞争力将高度依赖Chiplet技术能力。中国企业在该领域已实现突破，华为海思、长电科技等企业的相关研究成果，推动Chiplet技术在国产高端芯片中的应用落地。

　　三是共封装光学（CPO）与光互连技术实现重大突破，成为AI数据中心、超算领域的核心技术突破口，英伟达在本次会议上重磅发布NVLink-CPO技术，单链路速率达1.6Tb/s，较上一代提升60%，可大幅降低AI集群的延迟与功耗，成为数据中心、超算、AI集群的核心支撑。随着电互联接近性能极限，光互连正逐步接管未来高速互连场景，中国高校在该领域的研究聚焦低功耗光模块设计，相关技术已具备产业化潜力。

　　四是6G/毫米波/THz射频前端技术走向工程化，随着6G技术研发进入关键阶段，射频前端技术成为核心竞争点，本届会议相关论文聚焦140GHz相控阵、400GHz基波VCO、超宽带RF Transceiver、星闪NearLink 2.0收发机等关键技术，推动6G前端技术从论文走向实际应用。中国在该领域表现突出，东南大学、华为海思的相关论文，在毫米波相控阵、超宽带射频芯片等领域实现技术突破，为6G产业发展奠定基础。

　　五是超高速ADC/DAC技术持续升级，作为通信、雷达、测试仪器等领域的核心器件，超高速ADC/DAC技术成为本届会议的热点之一，32GS/s+射频采样ADC、14bit高精度低功耗产品成为研发热点，此类产品直接面向6G基站与宽带通信场景，可大幅提升通信速率与信号质量，为下一代通信技术提供核心支撑。中国高校在该领域的研究成果，实现了高精度与低功耗的平衡，打破了海外厂商的技术垄断。

　　此外，本届会议的四大主题演讲进一步定调全球半导体未来发展方向，汇聚了全球半导体产业龙头企业的核心观点：

　　联发科CEO蔡力行围绕“AI超级周期”发表演讲，提出AI将重构半导体产业格局，算力、能效、生态将成为核心竞争要素；

　　IBM资深研究员聚焦量子计算芯片，分享了IBM在量子芯片制程、量子纠错等领域的最新进展，预计2030年前实现实用化量子计算；

　　Cadence高管重点阐述AI驱动的EDA与设计技术，提出AI将大幅提升芯片设计效率，缩短研发周期；

　　Apple硬件技术副总裁则聚焦下一代硬件人才培养，强调人才储备是半导体产业长期发展的核心支撑。

　　四大主题演讲全面覆盖AI、量子、先进工具、人才四大核心方向，为全球半导体行业发展指明清晰路径。

　　行业专家指出，中国连续四年ISSCC论文数登顶，并非偶然，而是中国长期投入半导体基础研究、完善人才培养体系、推动产学研深度融合的必然结果。近年来，中国持续加大半导体领域研发投入，2025年国内半导体研发投入突破1200亿元，同比增长28%，培育了一批顶尖科研机构与领军企业；同时，高校半导体相关专业人才培养规模持续扩大，为产业发展提供了充足的人才支撑。

　　随着中国代表团在本次会议上展示AI、低功耗设计及6G通信芯片等领域的关键突破，中国半导体科研正实现从“量变”到“质变”的飞跃，不仅持续提升在全球半导体产业的话语权，更将推动学术创新加速转化为产业竞争力，为国内半导体国产化替代与产业高质量发展注入强劲动力，助力中国逐步成为全球半导体技术创新的核心策源地。

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